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比利时采用硅基氮化鎵开发大功率白光LED

发布时间:2018-08-12 15:17热度()我要投稿
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导读:日前,比利时研究中心(IMEC)推出一项联合开发计划(IIAP:industrialaffiliationprogram),目标是降低氮化鎵(GaN)技术

       日前,比利时研究中心(IMEC)推出一项联合开发计划(IIAP:industrial affiliation program),目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本,采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-Si),并开发高效率、大功率白光LED,致力于推动氮化鎵技术的发展,包括功率转换和固态照明(SSL)应用。

        IMEC GaN项目总监Marianne Germain表示,采用大直径的硅芯片(尺寸从100mm到150mm,再增至200mm)与CMOS兼容程序相结合,可创造经济上可行的解决方案。就固态照明而言,IIAP计划的一部分是,将运用硅基氮化鎵技术来开发高效率、大功率白光LED。该计划的目标包括改善内部与外部量子效率,并实现高电流作业。

        IMEC表示,III族氮化物具备卓越的发光特性,并具有广泛的可见光与紫外光谱。然而,如果采用新型批量制造技术,开发出光效可达150lm/W的LED,那么,使用这些设备开发出的LED才能被广泛接受。

       IMEC还将邀请集成设备制造商与化合物半导体行业共同加入该计划。

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