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英特尔、美光 NAND Flash杀价大反攻

发布时间:2018-08-12 15:15热度()我要投稿
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导读:随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IMFlash抢头香推出34纳米制程NANDFlash产品,应战三星电子(SamsungElectronics)42纳米

  随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IM Flash抢头香推出34纳米制程NAND Flash产品,应战三星电子(Samsung Electronics)42纳米制程,不但制程技术领先,近期英特尔和美光在价格策略上,更是上演绝地大反攻计画,以超低价策略抢食三星地盘。下游厂商透露,近期英特尔和美光32Gb芯片价格硬是比其它品牌便宜1美元,相较于三星更是便宜将近3美元,价差相当惊人,而此策略亦让英特尔阵营近期NAND Flash产品询问度大增,三星在现货市场活络度则降低。

  英特尔和美光进入NAND Flash市场以来,一直处于追赶三星状态,然2009年领先推出全球成本最低的34纳米制程技术,相较于三星和东芝(Toshiba)最先进制程分别为42与41纳米,以及海力士(Hynix)41纳米近期开始量产出货,英特尔阵营打了漂亮一仗,并促使三星和东芝下半年快马加鞭要转进30纳米制程。

  除加快制程脚步,美光2009年在NAND Flash市场布局相当具企图心,原本苹果(Apple)新产品iPhone 3G S的NAND Flash供应商以东芝为主,然近期下游厂透露,美光NAND Flash产品已通过iPhone 3G S认证,预计8月开始出货,这对于美光而言,将是相当重要里程碑。

  存储器模块厂透露,近期英特尔与美光阵营在现货市场价格策略犀利,几乎是以大杀价方式,吸引下游厂买盘进驻,一方面是美光和英特尔34纳米制程极具成本竞争力,有本钱继续杀价,另一方面则是策略性地抢食原本三星客户族群。

  下游厂透露,目前32Gb芯片价格约5.8~6美元,英特尔与美光价格比其它同业便宜近1美元,而三星2009年策略大转变,坚持守住利润而不冲营收作法,让三星目前在32Gb芯片价格,比英特尔阵营足足高出近3美元,1颗报价接近8美元,中间价差相当惊人,而同样情况亦出现在64Gb产品价格上。

  存储器厂指出,英特尔与美光这招降价策略其实相当奏效,近期市场询问度提高很多,买卖交易颗粒几乎以英特尔与美光产品居多,三星不仅较贵,加上其对现货市场释出货源有限,使得三星颗粒询问度降低。

  模块厂表示,这其实符合2009年三星在NAND Flash领域策略方向,包括获利至上、不盲目冲刺市占率和营收,策略性降低现货供应比重,主攻系统OEM等大型合约客户,过去常出现与台厂有暗盘交易、价格保护(PP)等方式,2009年一律不再出现,此举有助于三星获利结构更稳定,但亦使得部分现货市场客户开始倒向英特尔与美光等阵营。

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