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Soitec其300mm超薄SOI技术可支持22nm全耗尽器件

发布时间:2018-08-12 15:58热度()我要投稿
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导读:法国SOI技术供应商Soitec宣布其300mm超薄SOI(UTSOI)晶圆平台可支持22nm及以下节点全耗尽器件的应用。Soitec称有能力制造

  法国SOI技术供应商Soitec宣布其300mm超薄SOI(UTSOI)晶圆平台可支持22nm及以下节点全耗尽器件的应用。

  Soitec称有能力制造超薄顶层硅(20nm)SOI晶圆,均匀性可达小于5 angstroms,且可实现大批量高成品率生产。

  Soitec还表示,客户可根据需求来制定相关参数,成本和目前主流SOI晶圆相当。

  “超薄SOI为平坦化超薄体区器件提供了坚实基础,使设计人员在保留性能的前提下大幅减小功耗和漏电。该技术简化了CMOS工艺整体架构,从而降低了成本。”Soitec公司COO Paul Boudre说道。

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