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韩国ATLab开发出多点触控式电阻膜技术

发布时间:2018-08-12 15:49热度()我要投稿
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导读:韩国ATLabInc宣布开发出电阻式多点触控(ResistiveMultiTouch,R-MT)技术,HanwoolInformationTech(HWIT)公司将负责制作产品。据ATL

  韩国ATLabInc宣布开发出电阻式多点触控(ResistiveMultiTouch,R-MT)技术,HanwoolInformationTech(HWIT)公司将负责制作产品。据ATLab表示,其技术具备电阻膜触控屏幕的低价优势,且性可超越iPhone。

  ATLab开发的电阻膜R-MT技术为100%数字电路,可达到快速反应及减少功率消耗等目标。R-MT允许使用者同时使用手指及手写方式,输入语言方面无限制,可使用韩文、英文或汉字。还可用手指放大或缩小图片。

  在制作成本方面,R-MT也较电容式多点触控(C-MT)更具优势。目前,ATLab已拥有三项相关专利,包括:KRAP10-2008-0127410;KRAP10-2009-0014944;KRAP10-2009-0028199。

  新的R-MT大幅简化了制程,它以UVInk和内建ITO之PolyCarbonate取代使用光学式薄膜与2张ITO膜的方式,可大幅减少制作成本、提高产品制作速度,甚至还可以提高良率。据估计,透过上述方式,约可减少10~15%的成本支出。

  ATLabInc已开发出兼具电阻与电容触控优点的技术,未来也计划推出客制化产品,为用户提供ASIC解决方案。

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