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未来推动芯片尺寸微缩的五种技术

发布时间:2018-08-12 15:37热度()我要投稿
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导读:IC尺寸微缩仍面临挑战。为了使芯片微缩,总是利用光刻技术来推动。然而近期Sematech在一次演讲中列举了可维持摩尔

  IC尺寸微缩仍面临挑战。

  为了使芯片微缩,总是利用光刻技术来推动。然而近期Sematech在一次演讲中列举了可维持摩尔定律的其他一些技术。

  1. 零低k界面:在目前Intel的45nm设计中,采用硅衬底和高k金属栅。在硅与高k材料之间有低k材料。对于零低k界面,免去了低k材料,提高驱动电流并减少漏电。这是16nm节点的一种选择。

  2. 单金属栅堆叠:与传统晶体管相比,高k金属栅利用了单金属栅堆叠结构,这改善了晶体管性能,且降低了器件功耗。

  3. III-V族材料上栅堆叠:Intel、Sematech等已在讨论在未来设计中采用InGaAs/高k界面。这种方法也能改善性能降低功耗。

  4. 量子阱MOSFET:在硅上采用硅锗结构是改善性能的一种方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱场效应晶体管。这种P沟道结构将基于40nm InSb材料。

  5. 基于通孔硅技术的3D芯片:Sematech近期透露了建立基于通孔硅技术的300mm 3D芯片研发计划。

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